Сварочный аппарат РЕСАНТА САИ-230 АД – портативный инверторный сварочный аппарат с функцией аргонодуговой сварки. Это универсальный агрегат, который используется для сварки металлических конструкций вольфрамовым электродом (TIG), а также сварки электродами с рутиловым покрытием (MMA). Есть регулировка времени убывания тока и силы дуги в режиме ММА.
Преимущества аргонодуговой сварки
Этот способ сварки очень эффективен для соединения деталей из цветных металлов и легированных сталей, а также алюминия, титана и прочих материалов, которые не получится сварить обычной сваркой. Если толщина свариваемых деталей небольшая, аргонодуговая сварка выполняется без присадочного материала. Возможно даже использование токов высокой плотности без значительного расхода электродов и сильного нагревания. Причем стойкость горения электродуги сохраняется на минимальных электротоках, чем объясняется способность аргоновой сварки соединять довольно тонкий листовой материал.
Также для аргонодуговой сварки характерны ровный, прочный шов, лучшая свариваемость именно тонких металлов.
Особенности и преимущества
Малый вес аппарата обеспечивает легкую транспортировку, что требуется при различных монтажных работах.
В конструкции установлены два мощных кулера, которые обеспечивают надежное охлаждение.
Платы имеют высокое качество пайки деталей, не залиты лаком (компаундом), что позволяет осуществлять легкий и быстрый ремонт. Вертикальное расположение исключает скопление пыли на плате.
Функция «HOT START» для более легкого зажигания дуги (электрода). Это автоматическое кратковременное повышение сварочного тока над установленным значением в момент зажигания дуги.
Функция «ANTI STICK» производит автоматическое снижение сварочного тока при “залипании” электрода. В дальнейшем, после отрыва залипшего электрода инвертор возобновляет установленные параметры сварки.
Автомат защиты (при входном напряжении) надежно защищают платы.
В платах используются биполярные транзисторы IGBT, которые являются новейшим продуктом развития технологии силовых транзисторов со структурой металл-оксид-полупроводник, управляемых электрическим полем и сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре.
